新2网址(www.99cx.vip)_工研院携手产学界 发表顶尖磁性记忆体技术

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工研院15日宣布,一方面与晶圆制造龙头台积电合作开发世界前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体阵列晶片;另一方面工研院也携手国立阳明交通大学研发出,工作温度横跨近400度之新兴磁性记忆体技术,在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」发表相关论文,可望加速产业跻身下世代记忆体技术领先群,维持台湾半导体在国际不可或缺的地位。

经济部技术处指出,制程微缩是在半导体先进制程的重要趋势,在此趋势下,磁阻式随机存取记忆体具有可微缩至22奈米以下的潜力,而且拥有高读写速度、低耗电,断电后仍可保持资料的特性,特别适用于嵌入式记忆体的新兴领域。

工研院电子与光电系统所所长张世杰表示,MRAM有媲美静态随机存取记忆体的写入、读取速度,兼具快闪记忆体非挥发性,近年来已成为半导体先进制程、下世代记忆体与运算的新星。记忆体若在高写入速度的前提下,使用的电压电流越小,则代表效率越高。工研院携手台积电共同发表具备高写入效率与低写入电压SOT-MRAM技术,并达成0.4奈秒高速写入、7兆次读写之高耐受度,比欧洲最大的半导体研究机构-比利时微电子研究中心多一百倍,还有超过10年资料储存能力等特性的技,未来可整合成先进制程嵌入式记忆体,在人工智慧、车用电子、高效能运算晶片等领域具有极佳的前景。

另外,工研院与长期密切合作的国立阳明交通大学,今年也在VLSI共同发表新兴磁性记忆体的高效能运作技术,优化自旋转移矩磁性记忆体的多层膜与元件,提高写入速度、缩短延迟、降低写入电流与增高使用次数等特色,在127度到零下269度范围内,具有稳定且高效能的资料存取能力,工作温度横跨近400度的多功能磁性记忆体是首次被实验验证,未来在量子电脑、航太领域等前瞻应用与产业上潜力强大。

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